SSM6N35FE,LM, MOSFET Small Signal MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4000 шт., срок 6-8 недель

110 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 110 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005268696

Артикул: SSM6N35FE,LM

Бренд: Toshiba

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор Small Signal МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	180 mA
Pd - рассеивание мощности	150 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	20 Ohms, 20 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	400 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.55 mm
Длина	1.6 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	SSM6N35
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	ES6-6
Ширина	1.2 mm
Вес, г	0.0082