SSM6N36FE,LM, MOSFET 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD 1.5V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3438 шт., срок 6-8 недель
130 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD 1.5V
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 500 mA |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 630 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.55 mm |
Длина | 1.6 mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 2 Channel |
Конфигурация | Dual |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Серия | SSM6N36 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 2 N-Channel |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | ES6-6 |
Ширина | 1.2 mm |
Вес, г | 0.036 |
Техническая документация
Datasheet SSM6N36FE.LM
pdf, 212 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары