Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Toshiba › SSM6N37FU,LF, MOSFET Small-signal MOSFET ...

SSM6N37FU,LF, MOSFET Small-signal MOSFET ID=0.25A VDSS=20V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

14398 шт., срок 6-8 недель

110 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 110 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8005268698

Артикул: SSM6N37FU,LF

Бренд: Toshiba

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор Small-signal МОП-транзистор ID=0.25A VDSS=20V

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	250 mA
Pd - рассеивание мощности	300 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.65 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	350 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.9 mm
Длина	2 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	0.14 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SSM6N37FU
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	36 ns
Типичное время задержки при включении	18 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	SOT-363-6
Ширина	1.25 mm
Base Product Number	TC58V32 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
ECCN	EAR99
FET Feature	Logic Level Gate, 1.5V Drive
FET Type	2 N-Channel (Dual)
HTSUS	8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	12pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max	300mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
RoHS Status	RoHS Compliant
Supplier Device Package	US6
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Вес, г	0.0075