SSM6N44FU,LF, MOSFET Sm-signal/HiSpeed2n1 US6 (SOT-363)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40419 шт., срок 6-8 недель
99 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 99 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Dual |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Forward Transconductance - Min: | 25 mS |
Id - Continuous Drain Current: | 100 mA |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package/Case: | US-6 |
Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 Ohms |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 2 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 200 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 50 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet SSM6N44FU.LF
pdf, 162 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары