SSM6N57NU,LF, MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

35780 шт., срок 6-8 недель

140 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 140 руб.

Номенклатурный номер: 8005268702

Артикул: SSM6N57NU,LF

Бренд: Toshiba

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS

Id - непрерывный ток утечки	4 A
Pd - рассеивание мощности	2 W
Qg - заряд затвора	3.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	82 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.75 mm
Длина	2 mm
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SSM6N57
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	2 N-Channel
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	UDFN-6
Ширина	2 mm
Вес, г	1