Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Toshiba › TJ50S06M3L(T6L1,NQ, MOSFET P-Ch MOS -50A -60V ...

TJ50S06M3L(T6L1,NQ, MOSFET P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

19735 шт., срок 6-8 недель

530 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 530 руб.

Номенклатурный номер: 8005269324

Артикул: TJ50S06M3L(T6L1,NQ

Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзисторы U-MOSVI с малым сигналом

МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI с малым сигналом предлагают различные напряжения управления затвором, необходимые для многих различных типов мобильных устройств. Они доступны в одноканальном, двухканальном, N-канальном, P-канальном исполнении и в версиях с различным напряжением, предоставляя разработчикам широкий спектр возможностей. Каждый полевой МОП-транзистор удовлетворяет потребности в поддержке сильноточной зарядки при низком напряжении и низком значении R DS(on). Компактный корпус и низковольтная работа делают полевые МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI Small Signal идеальным решением для корпусов высокой плотности в смартфонах и игровых консолях.

Технические параметры

Brand:	Toshiba
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2000
Id - Continuous Drain Current:	50 A
Manufacturer:	Toshiba
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-252-3
Pd - Power Dissipation:	90 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	124 nC
Qualification:	AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance:	13.8 mOhms
Series:	TJ50S06M3L
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	U-MOSVI
Transistor Polarity:	P-Channel
Transistor Type:	1 P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Automotive	Yes
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	Gull-wing
Material	Si
Maximum Continuous Drain Current (A)	50
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	13.8@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	60
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	10000
Maximum Gate Source Voltage (V)	10
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	3
Maximum IDSS (uA)	10
Maximum Operating Temperature (°C)	175
Maximum Power Dissipation (mW)	90000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	2
Pin Count	3
PPAP	Unknown
Process Technology	U-MOS VI
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO-252
Supplier Package	DPAK+
Supplier Temperature Grade	Automotive
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	195
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	124
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	124@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	6290@10V
Typical Rise Time (ns)	77
Вес, г	0.33