TK10A80W,S4X, MOSFET N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
134 шт., срок 6-8 недель
770 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 770 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 9.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 40 W |
Qg - заряд затвора | 19 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 460 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 35 ns |
Время спада | 10 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | DTMOSIV |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | TK10A80W |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 120 ns |
Типичное время задержки при включении | 65 ns |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet TK10A80W.S4X
pdf, 412 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары