TK11A45D(STA4,Q,M), MOSFET N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.029

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

109 шт., срок 6-8 недель

510 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 510 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005269357

Артикул: TK11A45D(STA4,Q,M)

Бренд: Toshiba

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.029

Id - непрерывный ток утечки	11 A
Pd - рассеивание мощности	40 W
Qg - заряд затвора	20 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	500 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	450 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	25 ns
Время спада	10 ns
Высота	15 mm
Длина	10 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MOSVII
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	0.8 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	TK11A45D
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	75 ns
Типичное время задержки при включении	60 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.5 mm
Вес, г	1.7