TPC8125,LQ(S, MOSFET P-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9130 шт., срок 7-9 недель
210 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 210 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -10А, 1Вт, SOP8 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
Maximum Drain Source Resistance | 17 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.9 W |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOP |
Pin Count | 8 |
Series | TPC |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
Width | 3.9mm |
Вес, г | 0.851 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet TPC8125
pdf, 221 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.