Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › 2PD602ARL,215, Bipolar Transistors - BJT ...

2PD602ARL,215, Bipolar Transistors - BJT 2PD602ARL/SOT23/TO-236AB

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

489 шт., срок 7-9 недель

88 руб.

от 10 шт. — 61 руб.

от 100 шт. — 24 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 88 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8005271971

Артикул: 2PD602ARL,215

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT 50V 500MA NPN GEN-PURPOSE TRAN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	3 mm
Другие названия товара №	934062313215
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	40 at 500 mA, 10 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.5 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	160 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
Collector Emitter Voltage Max	50В
Continuous Collector Current	500мА
DC Current Gain hFE Min	120hFE
DC Усиление Тока hFE	120hFE
Power Dissipation	250мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	TO-236AB
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	160МГц
Вес, г	0.008