BUK9K5R1-30EX, MOSFET BUK9K5R1-30E/ SOT1205/LFPAK56D

BUK9K5R1-30EX, MOSFET BUK9K5R1-30E/ SOT1205/LFPAK56D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
941 шт., срок 6-8 недель
500 руб.
от 10 шт.390 руб.
от 100 шт.292 руб.
от 250 шт.270.16 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 500 руб.
Номенклатурный номер: 8005274344
Артикул: BUK9K5R1-30EX
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Automotive MOSFETs Nexperia Automotive MOSFETs comprise a range of AEC-Q101-qualified devices that meet the stringent standards set by the automotive industry. These Nexperia automotive devices are designed for an operating environment far more hostile than power MOSFETs used in home and portable applications and are suitable for thermally demanding environments due to a +175°C rating.

Технические параметры

Brand: Nexperia
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Factory Pack Quantity: 1500
Fall Time: 31 ns, 31 ns
Id - Continuous Drain Current: 40 A
Manufacturer: Nexperia
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 2 Channel
Package/Case: LFPAK-56D-8
Part # Aliases: 934068326115
Pd - Power Dissipation: 68 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 26.7 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 3.5 mOhms, 3.5 mOhms
Rise Time: 32 ns, 32 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 37 ns, 37 ns
Typical Turn-On Delay Time: 14 ns, 14 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -10 V, +10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.4 V
Вес, г 0.1122

Техническая документация

Datasheet
pdf, 723 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.