Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Nexperia › BUK9Y107-80EX, MOSFET BUK9Y107-80E/SOT669/LFPAK

BUK9Y107-80EX, MOSFET BUK9Y107-80E/SOT669/LFPAK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2423 шт., срок 6-8 недель

190 руб.

от 10 шт. — 160 руб.

от 100 шт. — 103 руб.

от 500 шт. — 82.74 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 190 руб.

Номенклатурный номер: 8005274365

Артикул: BUK9Y107-80EX

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

BUKx Automotive MOSFETs Nexperia BUKx Automotive MOSFETs offer logic level N-channel MOSFETs featuring TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high-performance automotive applications.

Технические параметры

Brand:	Nexperia
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity:	1500
Fall Time:	7.3 ns
Id - Continuous Drain Current:	11.8 A
Manufacturer:	Nexperia
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	LFPAK-56-5
Part # Aliases:	934067598115
Pd - Power Dissipation:	37 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	6.2 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	98 mOhms
Rise Time:	7.5 ns
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	9.6 ns
Typical Turn-On Delay Time:	5.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	80 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-10 V, +10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.4 V
Вес, г	11