PHE13003C,412, Bipolar Transistors - BJT Silicon diffused power transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4316 шт., срок 7-9 недель
140 руб.
от 10 шт. —
95 руб.
от 100 шт. —
46 руб.
от 1000 шт. —
29.71 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | WeEn Semiconductors |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 700 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 400 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Configuration: | Single |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 5 |
| DC Current Gain hFE Max: | 25 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 9 V |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Manufacturer: | WeEn Semiconductors |
| Maximum DC Collector Current: | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-92-3 |
| Part # Aliases: | 934063922412 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 0.22 |
Техническая документация
Datasheet PHE13003C.412
pdf, 280 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
