TGF2929-FL, RF MOSFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V GaN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
162 800 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 162 800 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\RF Transistors
QPD GaN RF Transistors Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo |
| Factory Pack Quantity: | 25 |
| Gain: | 14 dB |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | Flange Mount |
| Operating Frequency: | 3.5 GHz |
| Output Power: | 107 W |
| Package / Case: | NI-360 |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | TGF2929 1123811 |
| Pd - Power Dissipation: | 144 W |
| Product Category: | RF MOSFET Transistors |
| Product Type: | RF MOSFET Transistors |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | GaN SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Type: | RF Power MOSFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 28 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 145 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | -2.9 V |
| Вес, г | 65 |
Техническая документация
Datasheet TGF2929-FL
pdf, 1161 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
