SISS26LDN-T1-GE3, MOSFET Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

380 руб.

от 10 шт. — 290 руб.

от 100 шт. — 215 руб.

от 500 шт. — 170.53 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 380 руб.

Номенклатурный номер: 8005290249

Артикул: SISS26LDN-T1-GE3

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.0034Ом
Power Dissipation	57Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	TrenchFET Gen IV
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	81.2А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.5В
Рассеиваемая Мощность	57Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0034Ом
Стиль Корпуса Транзистора	PowerPAK 1212
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	0.2866

pdf, 201 КБ

Мы рекомендуем