SQM40081EL_GE3

Фото 2/2 SQM40081EL_GE3
Фото 1/2 SQM40081EL_GE3
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
115 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
290 руб.
от 10 шт.260 руб.
от 25 шт.251 руб.
от 100 шт.209.28 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 290 руб.
Номенклатурный номер: 8005290911
Производитель: Vishay

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 40V Vds 20V Vgs TO-263

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 50 A
Pd - рассеивание мощности 107 W
Qg - заряд затвора 230 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 8.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 230 ns
Время спада 153 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 92 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Размер фабричной упаковки 800
Серия SQ
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения 103 ns
Типичное время задержки при включении 16 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-263-3
Вес, г 7.326

Техническая документация

Datasheet SQM40081EL_GE3
pdf, 196 КБ
Datasheet SQM40081EL_GE3
pdf, 195 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах