TSA884CX RFG, Bipolar Transistors - BJT -500V, -0.15A, PNP Bipolar Transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11960 шт., срок 7-9 недель
140 руб.
от 10 шт. —
120 руб.
от 100 шт. —
77 руб.
от 500 шт. —
56.86 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) | 900 mV |
| Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) | 500 mV |
| Collector-Base Voltage (Vcbo) | 500 V |
| Collector-Emitter Voltage (Vceo) | 500 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current (Ic) | 150 mA |
| DC Current Gain (hFE) | 15 |
| Emitter-Base Voltage (Vebo) | 5 V |
| Mounting Type | SMD |
| Operating Temperature Max. | 150 °C |
| Operating Temperature Min. | -55 °C |
| Package Type | SOT-23 |
| Packaging | Reel |
| Pins | 3 |
| Power Dissipation (Pd) | 300 mW |
| Transistor Polarity | PNP |
| Transit Frequency | 50 MHz |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
TSA884_eng_tds.pdf
pdf, 140 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
