2N7002K-TP, MOSFET 350mW, 60V, 340mA

2N7002K-TP, MOSFET 350mW, 60V, 340mA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
82 руб.
от 10 шт.55 руб.
от 100 шт.22 руб.
от 1000 шт.14.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 82 руб.
Номенклатурный номер: 8005354112
Артикул: 2N7002K-TP

Описание

Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A) 0.34
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 5000@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 60
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 200
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 2.5
Maximum IDSS (uA) 1
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 350
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Product Category Small Signal
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-23
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 40(Max)@10V
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 15(Max)
Typical Turn-On Delay Time (ns) 10(Max)
Вес, г 0.008

Техническая документация

Datasheet
pdf, 860 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов