SI5618-TP, MOSFET P-Ch -60Vds 20Vgs 0.83W -7.6A -1.9V

SI5618-TP, MOSFET P-Ch -60Vds 20Vgs 0.83W -7.6A -1.9V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
120 руб.
от 10 шт.88 руб.
от 100 шт.47 руб.
от 1000 шт.29.92 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.
Номенклатурный номер: 8005354847
Артикул: SI5618-TP

Технические параметры

Case SOT23
Drain current -1.2A
Drain-source voltage -60V
Gate charge 9.5nC
Gate-source voltage ±20V
Kind of channel enhanced
Kind of package reel, tape
Manufacturer MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Mounting SMD
On-state resistance 0.2Ω
Polarisation unipolar
Power dissipation 0.83W
Pulsed drain current -7.6A
Type of transistor P-MOSFET
Вес, г 0.008

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов