CPC3710CTR, MOSFET N Ch Dep Mode FET 250V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260 руб.
от 10 шт. —
210 руб.
от 100 шт. —
145 руб.
от 500 шт. —
109.65 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
| Brand: | IXYS Integrated Circuits |
| Channel Mode: | Depletion |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 220 mA |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-89-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | PCB Mount |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 Ohms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -15 V, +15 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.9 V |
| Вес, г | 0.13 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 155 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
