2N5191G, Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
от 100 шт. —
137 руб.
от 500 шт. —
107.12 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 190 руб.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 40Вт, TO225 Характеристики
Категория | Диод |
Тип | тринисторы |
Вид | тиристор |
Технические параметры
Category | Bipolar Power |
Collector Current (DC) | 4(A) |
Collector Current (DC) (Max) | 4 A |
Collector-Base Voltage | 60(V) |
Collector-Emitter Voltage | 60(V) |
Configuration | Single |
DC Current Gain | 25 |
DC Current Gain (Min) | 25 |
Emitter-Base Voltage | 5(V) |
Frequency | 2(MHz) |
Frequency (Max) | 2 MHz |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -65C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Output Power | Not Required(W) |
Package Type | TO-225 |
Packaging | Box |
Pin Count | 3+Tab |
Power Dissipation | 40(W) |
Rad Hardened | No |
Transistor Polarity | NPN |
Maximum Collector Base Voltage | 60 V dc |
Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V dc |
Maximum DC Collector Current | 4 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc |
Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 40 W |
Minimum DC Current Gain | 25 |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 139 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов