2SC3647S-TD-E, Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
от 10 шт. —
150 руб.
от 100 шт. —
94 руб.
от 500 шт. —
71.03 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 180 руб.
Технические параметры
Case | SOT89 |
Collector current | 2A |
Collector-emitter voltage | 100V |
Current gain | 140…280 |
Frequency | 120MHz |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | ONSEMI |
Mounting | SMD |
Polarisation | bipolar |
Power dissipation | 0.5W |
Type of transistor | NPN |
Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов