2SC3649S-TD-E, Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
от 10 шт. —
160 руб.
от 100 шт. —
113 руб.
от 500 шт. —
92.47 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 180 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 160 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 130 mV |
| Configuration: | Single |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 120 MHz |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum DC Collector Current: | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PCP-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 355 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
