2SK3557-7-TB-E, JFET LOW-FREQUENCY AMPLIFIER

2SK3557-7-TB-E, JFET LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
от 10 шт.120 руб.
от 100 шт.78 руб.
от 500 шт.57.80 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.
Номенклатурный номер: 8005368414
Артикул: 2SK3557-7-TB-E

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET

Технические параметры

Brand: onsemi
Drain-Source Current at Vgs=0: 50 mA
Factory Pack Quantity: 3000
Forward Transconductance - Min: 24 ms
Gate-Source Cutoff Voltage: -1.5 V
Id - Continuous Drain Current: 50 mA
Manufacturer: onsemi
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SC-59
Pd - Power Dissipation: 200 mW
Product Category: JFET
Product Type: JFETs
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Type: JFET
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 15 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: -15 V
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 113 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов