2SK3557-7-TB-E, JFET LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 10 шт. —
120 руб.
от 100 шт. —
78 руб.
от 500 шт. —
57.80 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
Технические параметры
Brand: | onsemi |
Drain-Source Current at Vgs=0: | 50 mA |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Forward Transconductance - Min: | 24 ms |
Gate-Source Cutoff Voltage: | -1.5 V |
Id - Continuous Drain Current: | 50 mA |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SC-59 |
Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
Product Category: | JFET |
Product Type: | JFETs |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Type: | JFET |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 15 V |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -15 V |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 113 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов