FGD3040G2-F085V, IGBT Transistors Ignition IGBT, N-Channel Ignition, DPAK, 26A, 1.35V, 300mJ EcoSPARK2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
590 руб.
от 10 шт. —
460 руб.
от 100 шт. —
349 руб.
от 250 шт. —
300.64 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 590 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
Brand: | onsemi |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 400 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.15 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 41 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 41 A |
Factory Pack Quantity: | 2500 |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -10 V, 10 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | TO-252AA-3 |
Packaging: | Reel, Cut Tape |
Pd - Power Dissipation: | 150 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Qualification: | AEC-Q101 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 0.72 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 726 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов