FGD3040G2-F085V, IGBT Transistors Ignition IGBT, N-Channel Ignition, DPAK, 26A, 1.35V, 300mJ EcoSPARK2

FGD3040G2-F085V, IGBT Transistors Ignition IGBT, N-Channel Ignition, DPAK, 26A, 1.35V, 300mJ EcoSPARK2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
590 руб.
от 10 шт.460 руб.
от 100 шт.349 руб.
от 250 шт.300.64 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 590 руб.
Номенклатурный номер: 8005369332
Артикул: FGD3040G2-F085V

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Технические параметры

Brand: onsemi
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.15 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 41 A
Continuous Collector Current Ic Max: 41 A
Factory Pack Quantity: 2500
Manufacturer: onsemi
Maximum Gate Emitter Voltage: -10 V, 10 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: TO-252AA-3
Packaging: Reel, Cut Tape
Pd - Power Dissipation: 150 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Qualification: AEC-Q101
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Вес, г 0.72

Техническая документация

Datasheet
pdf, 726 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов