FGHL40T65MQD, IGBT Transistors 650 V 40 A FS4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 220 руб.
от 10 шт. —
950 руб.
от 25 шт. —
735 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 220 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
Brand: | onsemi |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.45 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
Factory Pack Quantity: | 450 |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 238 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 329 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов