FGHL50T65SQ, IGBT Transistors FS4TIGBT 50A 650V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 150 руб.
от 10 шт. —
1 010 руб.
от 25 шт. —
813 руб.
от 100 шт. —
651.79 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 150 руб.
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 100А |
Power Dissipation | 268Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.1167 |
Техническая документация
Datasheet FGHL50T65SQ
pdf, 294 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов