NGTB50N65FL2WG, IGBT Transistors 600V/50A FAST IGBT FSII T
1 850 руб.
от 10 шт. —
1 690 руб.
от 30 шт. —
1 380 руб.
от 120 шт. —
1 200 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 850 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.8 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 100 A |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 417 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 339 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
