IRLB8721PBF, MOSFET MOSFT 30V 62A 9mOhm 8nC Qg
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 руб.
от 10 шт. —
230 руб.
от 100 шт. —
171 руб.
от 500 шт. —
132.13 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 320 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 62А, 65Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 62 A |
| Pd - рассеивание мощности | 65 W |
| Qg - заряд затвора | 7.6 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.7 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 93 ns |
| Время спада | 17 ns |
| Высота | 15.65 mm |
| Длина | 10 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HEXFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 35 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | N-Channel |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.1 ns |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Brand | Infineon Technologies |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 17 ns |
| Forward Transconductance - Min | 35 S |
| Height | 15.65 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 62 A |
| Length | 10 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 65 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 7.6 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8.7 mOhms |
| Rise Time | 93 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 9 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 9.1 ns |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.8 V |
| Width | 4.4 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 62 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 9 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.35V |
| Maximum Power Dissipation | 65 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.35V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.6 nC @ 4.5 V |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRLB8721PBF
pdf, 267 КБ
Datasheet IRLB8721PBF
pdf, 267 КБ
Datasheet IRLB8721PBF
pdf, 290 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
