IXTP80N10T, Транзистор полевой N-канальный 100В 80А 230Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
300 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
250 руб.
от 20 шт. —
227 руб.
от 50 шт. —
213 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 600 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 100В 80А 230Вт
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Channel Type | N Channel | |
Drain Source On State Resistance | 0.014Ом | |
Power Dissipation | 230Вт | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Линейка Продукции | Trench | |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
Монтаж транзистора | Through Hole | |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В | |
Непрерывный Ток Стока | 80А | |
Полярность Транзистора | N Канал | |
Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В | |
Рассеиваемая Мощность | 230Вт | |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.014Ом | |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 | |
Вес, г | 3.2 |
Техническая документация
Datasheet IXTP80N10T
pdf, 289 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов