BC847BPN_R1_00001, Bipolar Transistors - BJT DUALSURFACEMOUNTNPN PNPTRANSISTORS (COMPLIMENTARY) VCE-45 45V IC-100 100mA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
136558 шт., срок 6-8 недель
60 руб.
от 10 шт. —
42 руб.
от 100 шт. —
18 руб.
от 1000 шт. —
10.48 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 60 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
Brand: | Panjit |
Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 400 mV, 700 mV |
Configuration: | Dual |
Continuous Collector Current: | -100 mA, 100 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 200 |
DC Current Gain hFE Max: | 450 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V, 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
Manufacturer: | Panjit |
Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-363-6 |
Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | DT-03TS |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN, PNP |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 519 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.