FP35R12W2T4, IGBT Modules IGBT-MODULE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 580 руб.
от 10 шт. —
14 100 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 580 руб.
Описание
Описание Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 35A Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | модуль |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | 3 Phase Bridge |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 54 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 215 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | AG-EASY2B-1 |
| Transistor Configuration | 3 Phase |
| Collector Current (DC) | 54(A) |
| Collector-Emitter Voltage | 1200(V) |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Screw |
| Operating Temperature (Max) | 150C |
| Operating Temperature (Min) | -40C |
| Operating Temperature Classification | Automotive |
| Packaging | Tray |
| Pin Count | 23 |
| Rad Hardened | No |
| Вес, г | 39 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Похожие товары
![SKIIP23NAB126V1 Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой инвертор) [MiniSKiiP 2]](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC005806826.jpg)
