BC817K40WH6327XTSA1, Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR

BC817K40WH6327XTSA1, Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
от 10 шт.89 руб.
от 100 шт.48 руб.
от 1000 шт.22.96 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.
Номенклатурный номер: 8005505007
Артикул: BC817K40WH6327XTSA1

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT AF TRANSISTOR

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 250 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № 817K-40W BC BC817K4WH6327XT H6327 SP000746850
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 250 at 100 mA, 1 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 630 at 100 mA, 1 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1000 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.7 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 500 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 170 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BC817
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок SOT-323-3
Вес, г 0.005

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов