2SC3325-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
68083 шт., срок 7-9 недель
97 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 97 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 100 mV |
Configuration: | Single |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 70 at 100 mA, 1 V |
DC Current Gain hFE Max: | 240 at 100 mA, 1 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 300 MHz |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | TO-236-3 |
Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Qualification: | AEC-Q101 |
Series: | 2SC3325 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Maximum DC Collector Current | 500mA |
Pd - Power Dissipation | 200mW |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 178 КБ
Datasheet 2SC3325-Y,LF
pdf, 181 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.