Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › BCP55,115, Bipolar Transistors - BJT ...

BCP55,115, Bipolar Transistors - BJT BCP55/SOT223/SC-73

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

10151 шт., срок 6-8 недель

120 руб.

от 10 шт. — 76 руб.

от 100 шт. — 35 руб.

от 1000 шт. — 21.08 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8005510447

Артикул: BCP55,115

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT TRANS MED PWR TAPE-7

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	960 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.7 mm
Длина	6.7 mm
Другие названия товара №	BCP55 T/R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	63 at 5 mA at 2 V, 63 at 150 mA at 2 V, 40 at 500
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	63 at 5 mA at 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	180 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-223-4
Ширина	3.7 mm
кол-во в упаковке	1000
Maximum Collector Base Voltage	60 V
Maximum Collector Emitter Voltage	60 V
Maximum DC Collector Current	1 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	180 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	960 mW
Minimum DC Current Gain	63
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-223(SC-73)
Pin Count	4
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.112