PHE13003A,412, Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR DIFF 700V 1A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9229 шт., срок 7-9 недель

120 руб.

от 10 шт. — 85 руб.

от 100 шт. — 50 руб.

от 1000 шт. — 24.85 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.

Номенклатурный номер: 8005511365

Артикул: PHE13003A,412

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Brand:	WeEn Semiconductors
Collector- Base Voltage VCBO:	700 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	400 mV
Configuration:	Single
DC Collector/Base Gain hfe Min:	5
DC Current Gain hFE Max:	30
Emitter- Base Voltage VEBO:	9 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	5000
Manufacturer:	WeEn Semiconductors
Maximum DC Collector Current:	1 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-92-3
Part # Aliases:	934063927412
Pd - Power Dissipation:	2.1 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	0.217