PMV213SN,215, MOSFET PMV213SN/SOT23/TO-236AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
254504 шт., срок 7-9 недель
130 руб.
от 10 шт. —
110 руб.
от 100 шт. —
69 руб.
от 500 шт. —
50.77 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 1,9А, 2Вт, SOT23 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Base Product Number | PMV213 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 20V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power Dissipation (Max) | 280mW (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 500mA, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | TrenchMOSв„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 1.9A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 280mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 250mО© @ 500mA,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 1mA |
| кол-во в упаковке | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.9 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 250 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet PMV213SN,215
pdf, 345 КБ
Datasheet PMV213SN,215
pdf, 258 КБ
Datasheet PMV213SN,215
pdf, 247 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
