SI6926ADQ-T1-GE3, MOSFET 20V Vds 8V Vgs TSSOP-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
от 10 шт. —
220 руб.
от 100 шт. —
161 руб.
от 500 шт. —
127.08 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 20V Vds 8V Vgs TSSOP-8
Технические параметры
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.2 mm |
| Длина | 4.4 mm |
| Другие названия товара № | SI6926ADQ-GE3 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI6 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TSSOP-8 |
| Ширина | 3 mm |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual Dual Source |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4.1 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 30@4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 830 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 8 |
| Pin Count | 8 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SO |
| Supplier Package | TSSOP |
| Typical Fall Time (ns) | 9 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 7.5@4.5V |
| Typical Rise Time (ns) | 16 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 46 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6 |
| Вес, г | 0.158 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 231 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
