IRF520SPBF, MOSFET N-Channel 100V

IRF520SPBF, MOSFET N-Channel 100V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
400 руб.
от 10 шт.300 руб.
от 100 шт.223 руб.
от 500 шт.176.16 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 400 руб.
Номенклатурный номер: 8005513123
Артикул: IRF520SPBF

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-Channel 100V

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 9.2 A
Pd - рассеивание мощности 3.7 W
Qg - заряд затвора 16 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 270 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия IRF
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок TO-263-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 9.2A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 25V
Manufacturer Vishay Siliconix
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
Packaging Tube
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.7W(Ta), 60W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 5.5A, 10V
Series -
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Вес, г 30

Техническая документация

Datasheet IRF520SPBF
pdf, 184 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов