IRFDC20PBF, MOSFET 600V N-CH HEXFET HEXDI
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
560 руб.
от 10 шт. —
450 руб.
от 100 шт. —
364 руб.
от 250 шт. —
329.86 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 560 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 600V N-CH HEXFET HEXDI
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 320 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Qg - заряд затвора | 18 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.4 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | IRFDC |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | DIP-4 |
| Base Product Number | IRFDC20 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 320mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | 4-DIP (0.300"", 7.62mm) |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4Ohm @ 190mA, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 0.59 |
Техническая документация
Datasheet IRFDC20PBF
pdf, 407 КБ
Datasheet IRFDC20PBF
pdf, 1182 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
