IRF3805STRLPBF, MOSFET MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 380 руб.
от 10 шт. —
1 070 руб.
от 25 шт. —
1 020 руб.
от 100 шт. —
783.16 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 380 руб.
Описание
The Infineon HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 210 A |
Maximum Drain Source Resistance | 3.3 mO |
Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Pin Count | 3 |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 389 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов