DMN10H170SVT-7, MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

160 руб.

от 10 шт. — 140 руб.

от 100 шт. — 85 руб.

от 500 шт. — 64.01 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 160 руб.

Номенклатурный номер: 8005541520

Артикул: DMN10H170SVT-7

Бренд: DIODES INC.

Brand	Diodes Incorporated
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	3000
Fall Time	12 ns
Id - Continuous Drain Current	2.6 A
Manufacturer	Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number Of Channels	1 Channel
Package / Case	TSOT-26-6
Packaging	Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation	1.2 W
Product Category	MOSFET
Product Type	MOSFET
Qg - Gate Charge	9.7 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	115 mOhms
Rise Time	11 ns
Series	DMN10
Subcategory	MOSFETs
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	42 ns
Typical Turn-On Delay Time	10 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Вес, г	0.04

pdf, 472 КБ

Мы рекомендуем