SI3457CDV-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
от 10 шт. —
140 руб.
от 100 шт. —
86 руб.
от 500 шт. —
64.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -4,1А, 2Вт, TSOP6 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single Quad Drain |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4.1 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 74 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 6 |
| Pin Count | 6 |
| PPAP | No |
| Process Technology | TrenchFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SOP |
| Supplier Package | TSOP |
| Typical Fall Time (ns) | 12 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 10 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 10 10V|5.1 4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 450 15V |
| Typical Rise Time (ns) | 80 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 40 |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.1 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 13 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | -3V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 3 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | -1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | TSOP-6 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Width | 1.7mm |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
