2N3716 PBFREE

2N3716 PBFREE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 шт., срок 6-8 недель
1 370 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 370 руб.
Номенклатурный номер: 8005778120

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор NPN 80V 10A 4MHz 150W Through Hole TO-3

Технические параметры

Current - Collector (Ic) (Max) 10A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 1A, 2V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 4MHz
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65В°C ~ 200В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-204AA, TO-3
Power - Max 150W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V

Техническая документация

Datasheet
pdf, 560 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.