PHE13007,127
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4032 шт., срок 7-9 недель
220 руб.
от 50 шт. —
170 руб.
от 100 шт. —
117 руб.
от 500 шт. —
88.03 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения2
Посмотреть аналоги3
Номенклатурный номер: 8005874248
Бренд: WeEn Semiconductors
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор NPN 400V 8A 80W Through Hole TO-220AB
Технические параметры
Base Product Number | PHE13007 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 200ВµA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 2A, 5V |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 |
Power - Max | 80W |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 1A, 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet PHE13007,127
pdf, 337 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.