FP15R12W1T4B3BOMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 980 руб.
от 24 шт. —
9 010 руб.
от 48 шт. —
8 470 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 11 980 руб.
Описание
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 15А |
| DC Ток Коллектора | 15А |
| Power Dissipation | 130Вт |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
| Линейка Продукции | EasyPIM |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
| Рассеиваемая Мощность | 130Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| Channel Type | N |
| Configuration | Common Collector |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 28 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 130 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | PCB Mount |
| Package Type | EASY1B |
| Pin Count | 23 |
| Switching Speed | 1MHz |
| Transistor Configuration | 3 Phase |
| Вес, г | 0.16 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 863 КБ
Datasheet FP15R12W1T4B3BOMA1
pdf, 908 КБ
Datasheet FS25R12W1T4B11BOMA1
pdf, 208 КБ
