2N7002W-TP

2N7002W-TP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.81 руб.
от 100 шт.36 руб.
от 500 шт.29.03 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 240 руб.
Номенклатурный номер: 8006015914

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 60 В 115 мА (Ta) 200 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-323

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 115mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
HTSUS 8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SC-70, SOT-323
Power Dissipation (Max) 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-323
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250ВµA
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A) 0.115
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 13500 10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 60
Maximum Gate Source Voltage (V) ±16
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 200
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Product Category Small Signal
Standard Package Name SOT-323
Supplier Package SOT-323
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 22 25V
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 11
Typical Turn-On Delay Time (ns) 7
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet 2N7002W-TP
pdf, 774 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов