2N5088 PBFREE
![Фото 1/2 2N5088 PBFREE](https://static.chipdip.ru/lib/799/DOC030799014.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735657.jpg)
5043 шт., срок 6-8 недель
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
130 руб.
от 100 шт. —
77 руб.
от 2500 шт. —
38.29 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8006036678
Бренд: Central Semiconductor Corp
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор NPN 30V 50mA 50MHz 625mW Through Hole TO-92
Технические параметры
Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 100ВµA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 50MHz |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Bulk |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Power - Max | 625mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-92 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 1mA, 10mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Brand: | Central Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO: | 35 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 30 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 50 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 300 |
DC Current Gain hFE Max: | 900 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 4.5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Gain Bandwidth Product fT: | 50 MHz |
Manufacturer: | Central Semiconductor |
Maximum DC Collector Current: | 50 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-92 |
Packaging: | Bulk |
Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.4536 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 688 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары