ZVN4206GVTA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
310 руб.
от 10 шт. —
230 руб.
от 100 шт. —
165 руб.
от 500 шт. —
130.67 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 310 руб.
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 300 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 1 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-223-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1 Ohms |
| Rise Time: | 12 ns |
| Series: | ZVN4206 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | FET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Max Processing Temp | 260 |
| Maximum Continuous Drain Current | 1 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Mounting | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| RDS-on | 1000@10V mOhm |
| Typical Fall Time | 15 ns |
| Typical Rise Time | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
| Вес, г | 0.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 913 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
