ALD110900APAL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
58 шт., срок 7-9 недель
2 340 руб.
от 50 шт. —
1 640 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 340 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8006077583
Бренд: Advanced Linear Devices
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) согласованная пара 10,6 В, 500 мВт, сквозное отверстие 8-PDIP
Технические параметры
California Prop 65 | Warning Information |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
ECCN | EAR99 |
FET Feature | Standard |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | 0В°C ~ 70В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | 8-DIP (0.300"", 7.62mm) |
Power - Max | 500mW |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 4V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | EPADВ®, Zero Thresholdв„ў -> |
Supplier Device Package | 8-PDIP |
Vgs(th) (Max) @ Id | 10mV @ 1ВµA |
Brand: | Advanced Linear Devices |
Channel Mode: | Depletion |
Configuration: | Dual |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
Id - Continuous Drain Current: | 12 mA |
Manufacturer: | Advanced Linear Devices |
Maximum Operating Temperature: | +70 C |
Minimum Operating Temperature: | 0 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package / Case: | PDIP-8 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Product: | MOSFET Small Signal |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 500 Ohms, 500 Ohms |
Series: | ALD110900A |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 2 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 10 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 0 V |
Вес, кг | 7.06 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.